میکرون نقشه راه ۲۰۲۷ خود را اعلام کرد؛ DDR6 با پهنای باند بیش از دو برابر DDR5، رم یک ترابایتی و حافظه نند با بیش از ۴۰۰ لایه در راه هستند.
شرکت میکرون (Micron) از نقشه راه فناوری حافظه و ذخیره‌سازی خود برای سال‌های آینده پرده برداشته است؛ برنامه‌ای که شامل حافظه‌های نسل جدید DDR6 و LPDDR6، حافظه‌های پهنای باند بالا (HBM) و حافظه فلش نند (NAND) با بیش از ۴۰۰ لایه می‌شود. بخش مهمی از این پیشرفت‌ها با هدف پاسخ‌گویی به نیاز روزافزون مراکز داده هوش مصنوعی طراحی شده‌اند؛ بازاری که تقاضای گسترده برای توان پردازشی و ظرفیت حافظه، هزینه تجهیزات سخت‌افزاری را افزایش داده است.
به گزارش
به نقل از
، میکرون اعلام کرده است که گره ساخت جدید خود با نام یک‌دلتا (1δ) را به‌عنوان نسل بعدی فناوری یک‌گاما (1γ) توسعه می‌دهد. این فناوری با بهره‌گیری از کنترل فرایند در مقیاس آنگستروم و ساختار سی‌ماس با فلز و گیت با ثابت دی‌الکتریک بالا (HKMG)، قرار است چگالی بیت را در تولید حافظه‌های پیشرفته دی‌رم (DRAM) حدود ۲۵ درصد نسبت به نسل قبلی افزایش دهد. طبق برنامه شرکت، تولید انبوه این فناوری در نیمه دوم سال ۲۰۲۷ آغاز خواهد شد.
یکی از مهم‌ترین محصولات مبتنی بر این فناوری، حافظه DDR6 است که به گفته میکرون، پهنای باندی بیش از دو برابر DDR5 ارائه خواهد کرد. بااین‌حال، این شرکت فعلاً DDR6 را بیشتر برای سرورهای قابل‌اعتماد و مراکز داده هوش مصنوعی هدف‌گذاری کرده است، نه رایانه‌های شخصی معمولی. هنوز تاریخ رسمی عرضه این حافظه اعلام نشده است.
میکرون همچنین در حال توسعه ماژول‌های حافظه ثبت‌شده (RDIMM) با ظرفیت یک ترابایت است که برای پردازش‌های سنگین هوش مصنوعی و سرورهای پرتراکم طراحی می‌شوند. در بخش حافظه‌های کم‌مصرف، این شرکت مدعی است LPDDR6 می‌تواند در مقایسه با LPDDR5 تا ۳۵ درصد بهره‌وری انرژی بیشتری ارائه کند. میکرون برای استقرار این فناوری در مراکز داده هوش مصنوعی با شرکایی از جمله متا همکاری می‌کند.
در حوزه حافظه‌های پیشرفته، میکرون از طراحی‌های جدیدی مانند حافظه با پشته‌سازی عمودی (vHBM) و توسعه بلندمدت دی‌رم سه‌بعدی خبر داده است. هدف این فناوری‌ها افزایش پهنای باند و کاهش مصرف انرژی به‌ازای انتقال داده است.
در بخش ذخیره‌سازی نیز حافظه فلش نند نسل یازدهم (G11) با بیش از ۴۰۰ لایه در دست توسعه قرار دارد. این محصول در مقایسه با نسل G9، چگالی بیت دوبرابری، سرعت ورودی و خروجی ۱٫۵ برابر و بیش از ۲۵ درصد انرژی کمتر به‌ازای هر انتقال داده را هدف گرفته است. تولید این حافظه نیز برای نیمه دوم سال ۲۰۲۷ برنامه‌ریزی شده است.