شرکت SK hynix سه‌ماهه‌ای درخشان را پشت سر گذاشت. گزارش مالی این شرکت برای سه‌ماهه سوم سال ۲۰۲۶، درآمدی معادل ۱۰۴.۶ تریلیون وون کره جنوبی، حدود ۷۶ میلیارد دلار، را نشان می‌دهد. سودآوری SK hynix نیز چشمگیر بود. سود عملیاتی شرکت به ۸۳.۳ تریلیون وون، معادل حدود ۶۰.۵ میلیارد دلار، و سود خالص آن به
شرکت SK hynix سه‌ماهه‌ای درخشان را پشت سر گذاشت. گزارش مالی این شرکت برای سه‌ماهه سوم سال ۲۰۲۶، درآمدی معادل ۱۰۴.۶ تریلیون وون کره جنوبی، حدود ۷۶ میلیارد دلار، را نشان می‌دهد.
سودآوری SK hynix نیز چشمگیر بود. سود عملیاتی شرکت به ۸۳.۳ تریلیون وون، معادل حدود ۶۰.۵ میلیارد دلار، و سود خالص آن به ۳۹.۸ تریلیون وون، حدود ۲۸.۹ میلیارد دلار، رسید. این ارقام به معنای حاشیه سود عملیاتی ۸۰ درصدی و حاشیه سود خالص ۳۸ درصدی هستند.
در پایان سه‌ماهه سوم، موجودی نقد و معادل‌های نقدی SK hynix به ۱۱۴.۵ تریلیون وون، حدود ۸۳.۲ میلیارد دلار، رسید که در مقایسه با سه‌ماهه قبل ۲۶.۵ تریلیون وون، معادل ۱۹.۳ میلیارد دلار، افزایش داشت. در همین دوره، میزان بدهی‌های استقراضی با کاهش ۲.۸ تریلیون وونی، حدود ۲ میلیارد دلار، به ۱۵.۸ تریلیون وون، معادل ۱۱.۵ میلیارد دلار، رسید. در نتیجه، خالص وجه نقد شرکت به ۹۸.۷ تریلیون وون، حدود ۷۱.۸ میلیارد دلار، افزایش یافت. این گزارش همچنین شامل اینفوگرافیکی با جزئیات بیشتر درباره وضعیت مالی شرکت است.
افزایش فروش حافظه گران‌قیمت HBM4 که برای سرورها کاربرد دارد، چندان دور از انتظار نیست. SK hynix پیش‌بینی می‌کند که در سه‌ماهه آینده، HBM4 از نظر حجم فروش و درآمد از HBM3E پیشی بگیرد و به محصول اصلی این شرکت در حوزه حافظه‌های با پهنای باند بالا تبدیل شود.
با این حال، فروش حافظه رم DDR5 مخصوص سرورها نیز رشد قابل‌توجهی داشته است. تقاضا برای حافظه LPDDR5 با فناوری SOCAMM که در سرورهای هوش مصنوعی به کار می‌رود، افزایش یافته. کارخانه جدید SK hynix با نام M15X نیز قرار است تا پایان سال به ظرفیت تولید کامل برسد. ظرفیت پیش‌بینی‌شده این کارخانه بین ۵۵ تا ۶۰ هزار ویفر در ماه برای تولید تراشه‌های DRAM با فناوری 1b خواهد بود. هم‌زمان، سهم نسل جدید حافظه‌های 1c DRAM نیز افزایش می‌یابد؛ فناوری‌ای که در حافظه LPDDR6 این شرکت به کار رفته است.
در بخش حافظه‌های فلش NAND، شرکت SK hynix از افزایش فروش تراشه‌های TLC با ۳۲۱ لایه خبر داده است که برای حافظه‌های SSD تعبیه‌شده کاربرد دارند. این شرکت انتظار دارد تا پایان سال، تولید این تراشه‌های ۳۲۱ لایه بیش از نیمی از ظرفیت تولید داخلی آن را به خود اختصاص دهد.
SK hynix همچنین روی توسعه فناوری HBF یا حافظه فلش با پهنای باند بالا کار می‌کند که برای سرورهای هوش مصنوعی طراحی شده. این فناوری از نظر مفهوم به HBM شباهت دارد، اما به‌جای تمرکز بر حافظه پرسرعت موقت، برای ذخیره‌سازی بلندمدت‌تر اطلاعات در نظر گرفته شده است. به کمک HBF، مدل‌های هوش مصنوعی می‌توانند داده‌هایی را به‌صورت پیوسته دریافت کنند که امکان نگهداری هم‌زمان آن‌ها در حافظه رم وجود ندارد.
کمبود حافظه تا سال ۲۰۳۰ ادامه خواهد داشت
در بیانیه نتایج مالی SK hynix هشداری درباره تداوم کمبود عرضه حافظه تا سال ۲۰۳۰ مطرح شده است. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید خود را با سرعت بیشتری گسترش دهد، اما جبران فاصله میان عرضه و تقاضا همچنان به زمان نیاز خواهد داشت.
در کوتاه‌مدت، انتظار می‌رود هوش مصنوعی سازمانی و ابزارهای هوش مصنوعی شخصی، بخش عمده تقاضا برای حافظه را تشکیل دهند. در میان‌مدت و بلندمدت نیز گسترش کاربرد هوش مصنوعی در خودروهای خودران و رباتیک به افزایش تقاضا کمک خواهد کرد.
بر اساس گزارش سپتامبر مؤسسه کانترپوینت ریسرچ، شرکت SK hynix از نظر درآمد حاصل از فروش DRAM، با سهم ۲۵ درصدی در رتبه دوم بازار جهانی قرار داشت. سامسونگ با سهم ۳۸ درصدی جایگاه نخست را به خود اختصاص داده بود و میکرون با سهم ۲۴ درصدی در رتبه سوم قرار داشت.
هر سه شرکت سامسونگ، SK hynix و میکرون، حافظه‌های LPDDR و NAND را به اپل عرضه می‌کنند. بسیاری از تولیدکنندگان دیگر گوشی‌های هوشمند، از جمله خود سامسونگ، نیز از تأمین‌کنندگان مختلف این بازار حافظه خریداری می‌کنند.
کواک نو جونگ، مدیرعامل SK hynix، درباره تصمیم این شرکت برای کنار گذاشتن برنامه عرضه اولیه سهام شرکت Solidigm گفت:
هدف از عرضه اولیه سهام، جذب سرمایه خارجی برای توسعه تأسیسات تولیدی Solidigm بود تا از این طریق، بار سرمایه‌گذاری بر دوش شرکت ما کاهش یابد و ظرفیت بیشتری برای بازگرداندن سرمایه به سهام‌داران فراهم شود. با این حال، پس از بررسی دقیق شرایط اخیر بازارهای مالی و سایر عوامل، به این نتیجه رسیدیم که اجرای این برنامه در مقطع کنونی بهترین راه برای دستیابی به نتایج مورد انتظار اولیه نخواهد بود. به همین دلیل، بررسی این طرح را متوقف کرده‌ایم.