پروژه «ترآفب» ایلان ماسک قصد دارد پس از سال 2032 ماهانه یک میلیون ویفر تولید کند و با ظرفیت حافظه سامسونگ رقابت کند.
فهرست مطالب
ایلان ماسک قصد دارد با پروژه «ترآفب»، پس از سال ۲۰۳۲ ماهانه یک میلیون ویفر تولید کند که ۷۰۰ هزار ویفر آن به ساخت حافظه اختصاص خواهد داشت و می‌تواند با ظرفیت تولید DRAM سامسونگ رقابت کند.
به گزارش سرویس سخت افزار تک‌ناک، شرکت ترآفب (Terafab)، سرمایه‌گذاری مشترک تسلا و اسپیس‌ایکس به رهبری ایلان ماسک، به‌طور غیررسمی به سازندگان تجهیزات اعلام کرده است که قصد دارد پس از سال ۲۰۳۲، ماهانه یک میلیون ویفر تولید کند.
وب‌سایت فایننشال نیوز با انتشار این خبر اعلام داده است که حدود ۷۰ درصد از این ظرفیت، معادل ۷۰۰ هزار ویفر در ماه، به تولید حافظه اختصاص خواهد یافت و بیش از ۳۰۰ هزار ویفر نیز برای ساخت تراشه‌های منطقی در نظر گرفته شده است.
تیم تأمین تجهیزات ترآفب تاکنون به ژاپن سفر کرده و از برخی سازندگان محلی تجهیزات خواسته است محصولات مورد نیاز را ظرف چند ماه تحویل دهند. اگر تمام ظرفیت ۷۰۰ هزار ویفری بخش حافظه به تولید DRAM اختصاص پیدا کند، این میزان می‌تواند با ظرفیت برآوردشده تولید DRAM سامسونگ رقابت کند.
ظرفیت تولید DRAM سامسونگ در سال گذشته حدود ۶۵۰ تا ۷۰۰ هزار ویفر در ماه برآورد شده بود. در همین حال، خبرها نشان می‌دهند ظرفیت تولید ماهانه SK Hynix حدود ۵۵۰ هزار ویفر است و این شرکت قصد دارد تا سال ۲۰۳۰ آن را به یک میلیون ویفر برساند.
البته این مقایسه به توضیح بیشتری نیاز دارد. رقم ۷۰۰ هزار ویفر ترآفب، کل تولید احتمالی حافظه این شرکت را شامل می‌شود و ممکن است حافظه‌های NAND یا DRAM را در بر بگیرد. در مقابل، ارقام مربوط به سامسونگ و SK Hynix فقط ظرفیت تولید DRAM را نشان می‌دهند. بااین‌حال، ظرفیت در نظر گرفته‌شده برای بخش حافظه ترآفب به‌تنهایی ۳.۵ برابر ظرفیت گزارش‌شده کارخانه SK Hynix در ووشی چین است که ماهانه حدود ۲۰۰ هزار ویفر تولید می‌کند.
افزایش استقبال صنعت از برنامه‌های ترآفب
زمانی که ماسک در ماه مارس برنامه‌های ترآفب را اعلام کرد، بسیاری از فعالان صنعت نسبت به عملی شدن آن تردید داشتند. بااین‌حال، سفارش‌های این شرکت باعث شده است شرکت‌های بیشتری این پروژه را یک فرصت تجاری واقعی ارزیابی کنند.
برنامه زمانی ترآفب بسیار فشرده است. معمولاً سه سال یا بیشتر طول می‌کشد تا یک کارخانه پیشرفته تولید تراشه از مرحله برنامه‌ریزی به تولید انبوه برسد. با وجود این، ترآفب قصد دارد تولید انبوه را در نیمه دوم سال ۲۰۲۸ آغاز کند.
خبرها حاکی از آن است که مسئولان بخش تأمین تجهیزات این شرکت در اوایل ماه جاری میلادی به ژاپن سفر کرده‌اند تا با تأمین‌کنندگان محلی دیدار کنند و جزئیات ورود تجهیزات را بررسی کنند. آن‌ها از برخی شرکت‌ها خواسته‌اند تجهیزات مورد نیاز را ظرف چند ماه تحویل دهند.
ابهام درباره فناوری و نوع حافظه‌های تولیدی
تولید تراشه‌های منطقی یک موضوع است و ساخت حافظه موضوعی دیگر. خبرگزاری جیجی پرس خبر داده است که ترآفب برای استفاده از فرایندهای ساخت ۲ نانومتری و ۱.۴ نانومتری اینتل با این شرکت همکاری می‌کند. بااین‌حال، هنوز مشخص نیست ترآفب برای تولید حافظه از چه فناوری یا چه نوع محصولی استفاده خواهد کرد.
بررسی همکاری فنی با یک شرکت تایوانی برای بخش حافظه در جریان است، اما تاکنون نام هیچ شریک تجاری اعلام نشده است. در نتیجه، فناوری ساخت مورد استفاده برای ۷۰ درصد از ویفرهای برنامه‌ریزی‌شده ترآفب همچنان مشخص نیست.
تولید حافظه معمولاً به دو گروه اصلی DRAM و فلش NAND تقسیم می‌شود. حافظه NAND بیشتر برای ذخیره‌سازی اطلاعات به کار می‌رود و برخلاف DRAM، با قطع برق نیز اطلاعات را حفظ می‌کند.
آگهی استخدام تسلا در ماه اوت برای موقعیت مهندس یکپارچه‌سازی فرایند حافظه در ترآفب، اطلاعاتی درباره برنامه‌های احتمالی این شرکت ارائه می‌دهد. این موقعیت شغلی بر یکپارچه‌سازی کامل فرایند تولید DRAM و توسعه نسل‌های جدید این حافظه تمرکز دارد. همچنین، در شرح وظایف آن به پشتیبانی از فناوری‌های نوظهور حافظه مانند MRAM، RRAM و DRAM سه‌بعدی اشاره شده است.
ترآفب هنوز توضیح نداده است که در صورت تولید DRAM، ظرفیت آن چگونه میان محصولاتی مانند HBM و LPDDR تقسیم خواهد شد. هر دو نوع حافظه برای کاربردهای هوش مصنوعی اهمیت دارند و در آگهی‌های استخدام این شرکت نیز به آن‌ها اشاره شده است. همچنین مشخص نیست ترآفب قصد دارد تراشه‌های DRAM را خودش تولید و روی هم انباشته کند یا تراشه‌های تولیدشده توسط شرکت‌های دیگر را بسته‌بندی کند.
چالش‌های تولید تراشه در آمریکا
ساخت یک کارخانه پیشرفته تولید تراشه‌های منطقی در خاک آمریکا به‌خودی‌خود چالش بزرگی است. تسلا و اسپیس‌ایکس نیز تجربه مستقیمی در زمینه تولید نیمه‌رساناها ندارند. حتی ماسک در تماس ماه گذشته اسپیس‌ایکس، زمان‌بندی اعلام‌شده برای ترآفب را «بسیار جاه‌طلبانه» توصیف کرد و گفت برای این برنامه زمانی «حاشیه خطای بزرگی» در نظر گرفته است.
ترآفب قصد دارد نخستین تراشه آزمایشی SRAM خود را حدود ماه مه یا ژوئن ۲۰۲۷ در مرکز تحقیقاتی این شرکت در آستین تولید کند.
نقش احتمالی شرکت TSMC در این پروژه نیز هنوز مشخص نیست. TSMC اعلام کرده است هر کارخانه‌ای که با مشارکت این شرکت ساخته شود، باید تحت مدیریت خود TSMC اداره شود. در مقابل، ماسک گفته است شرکت‌های خودش کارخانه ترآفب را خواهند ساخت و اداره خواهند کرد. در چنین شرایطی، ممکن است نقش TSMC به حضور در این مجموعه به‌عنوان یک مستأجر محدود شود.
بااین‌حال، برنامه‌های مالی پروژه تا حدی مشخص شده‌اند. ترآفب برای مرحله نخست ساخت کارخانه در شهرستان گرایمز ایالت تگزاس، ۱۶.۸ میلیارد دلار سرمایه‌گذاری در نظر گرفته است. در صورت اجرای مراحل بعدی، مجموع سرمایه‌گذاری این پروژه می‌تواند به ۱۱۹ میلیارد دلار برسد. همچنین، احتمال دارد ساخت کارخانه آزمایشی آن تا ژوئیه ۲۰۲۷ به پایان برسد.